
الشركة المصنعة:
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النقاط الرئيسية
- صنع في روسيا - مصمم للمتانة
- مناسب للبيئات الصعبة
- تكلفة ملكية أقل من البدائل الأوروبية
- طلبات الجملة متاحة مع خصومات على الكمية
- المساعدة في التوثيق والتخليص الجمركي مقدمة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Configuration type
half-bridge
Housing type
SOT-227 (MPK-30)
Maximum permissible current
150 A
Maximum allowable voltage
400 V
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

Silicon high voltage high power channel DMOS transistors and modules 2P829B9
عرض التفاصيل
CMOS N-channel transistor AnS140N06
عرض التفاصيل
High-voltage bipolar high-current transistors 2T8144BM1
عرض التفاصيل
AnM200SSP25M power module
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9170E
عرض التفاصيل
Powerful microwave transistor on the basis of gallium nitride PP9170D
عرض التفاصيل
High-power high-voltage field-effect transistor KP829D
عرض التفاصيل
AnM450HBE12M Power IGBT Module
عرض التفاصيل
High-power DMOS field-effect transistors 2P7246A-5
عرض التفاصيل
Transistors and diodes in non-hermetic package AnR30IGB065D
عرض التفاصيل
Silicon p-n-p transistor KT234V9
عرض التفاصيل
Power IGBT module AnM150HBEB12M
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية