1
Описание запроса
2
Контактные данные
Что вам нужно?

Опишите товар или услугу, которую вы ищете

Ваши контактные данные

Мы свяжемся с вами в ближайшее время

Запрос отправлен!

Спасибо! Мы свяжемся с вами в ближайшее время с лучшими предложениями.

Мощные СВЧ-транзисторы на основе нитрида галлия ПП9136А

Мощные СВЧ-транзисторы на основе нитрида галлия ПП9136А — АО "НИИЭТ"

Бренд: NIIET
$60 - $300 USD
MOQ: 20 pieces

Ключевые характеристики

Выходная мощность: 5 см[3*];^мл
Диапозон частот до: 6000
Максимальное напряжение: 130 10[3*] м[3*]
Максимадьный ток: 1

Ещё товары бренда NIIET

Powerful GaN Microwave Transistor for Amplification PP9137A

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9137А

$60-$300
Powerful GaN-based Microwave Transistor PP9170D

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9170Д

$30-$180
32-bit Microcontroller ARM Cortex-M4F for Motor Control K1921VK01T

Микросхема 32-разрядный микроконтроллер на базе ядра ARM Cortex-M4F К1921ВК01Т

$3-$18
High-Power GaN Microwave Transistor PP9138A

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9138А

$9-$60
Powerful GaN-based Microwave Transistor PP9139B1

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9139Б1

$90-$360
Powerful GaN-Based Microwave Transistor PP9170B

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9170Б

$9-$36
LDMOS Microwave Transistor for Pulse Operation 2P9116B 1030-1090MHz

Транзистор Полевый LDMOS СВЧ транзистор импульсного режима работы L

$3-$18
Ultra-Low Power 32-Bit Microcontroller K1921VG015

32-разрядный микроконтроллер К1921ВГ015

$1.20-$6
Powerful Linear LDMOS Transistor KP9171BS

Мощный линейный LDMOS транзистор КП9171БС

$1.20-$6
Powerful Linear LDMOS Transistor KP9171A

Мощный линейный LDMOS транзистор КП9171А

$3-$18
4-Channel LVDS Signal Transmitter Model K5537EU015

4-канальный передатчик К5537ЕУ015

$0.60-$6

Описание

Мощные СВЧ-транзисторы на основе нитрида галлия для применения в усилительных каскадах, L-, S- и C-диапазонах частот. За счет малых значений паразитных параметров обладают повышенными эксплуатационными характеристиками. Применение транзисторов в конечных изделиях позволит добиться более высоких тактико-технических характеристик.

Похожие товары

Powerful GaN Microwave Transistor for Amplification PP9137A

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9137А

$60-$300 USD
Output power: 10
Maximum voltage: 130
АО "НИИЭТ" 🇷🇺
Powerful GaN Microwave Transistor for Amplifier Applications PP9170E

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9170Е

$9-$36 USD
Frequency: 6
Maximum voltage: 150
АО "НИИЭТ" 🇷🇺
High-Frequency GaN Transistor up to 6 GHz, SVC0101

GaN СВЧ транзистор частотного диапазона до 6 ГГц, SVC0101

$6-$60 USD
Output power at 3 GHz: 18
Maximum operating frequency: 6
АО "СВЕТЛАНА-РОСТ" 🇷🇺
GaN Microwave Transistor up to 6 GHz, SVC0102

GaN СВЧ транзистор частотного диапазона до 6 ГГц , SVC0102

$30-$180 USD
Frequency range: 0...6
Overall dimensions: 1710 x 950 x 100 microns
АО "СВЕТЛАНА-РОСТ" 🇷🇺
High-Power GaN Microwave Transistor PP9138B

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9138Б

$30-$180 USD
Output power: 25
Maximum voltage: 130
АО "НИИЭТ" 🇷🇺
Powerful GaN-based Microwave Transistor PP9170G

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9170Г

$9-$36 USD
Frequency: 4
Maximum voltage: 150
АО "НИИЭТ" 🇷🇺
Powerful GaN-based Microwave Transistor PP9170A

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9170А

$9-$36 USD
Output power: 200
Maximum voltage: 150
АО "НИИЭТ" 🇷🇺
Powerful GaN-based Microwave Transistor PP9139B1

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9139Б1

$90-$360 USD
Output power: 100
Maximum voltage: 130
АО "НИИЭТ" 🇷🇺
Powerful GaN-Based Microwave Transistor PP9170B

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9170Б

$9-$36 USD
Output power: 100
Frequency: 3.1
АО "НИИЭТ" 🇷🇺
High-Power GaN Microwave Transistor for Amplifier Applications PP9139A1

Мощный СВЧ-транзистор на основе нитрида галлия ПП9139А1

$9-$36 USD
Maximum voltage: 130
Transistor weight: 5
АО "НИИЭТ" 🇷🇺
High-Resistance Silicon Photodiode FD342M

Фотодиод ФД342М

$0.30-$2.40 USD
Spectral sensitivity range, µm: 0.4...1.1
Spectral sensitivity range, µm: 0.4...1.1
АО "НПО "ОРИОН" 🇷🇺
High-Power High-Voltage Field Transistor KP829D

Мощный высоковольтный полевой транзистор КП829Д

$0.90-$3.60 USD
Type: powerful high-voltage
Type: powerful high-voltage
АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺
Low-Frequency Diode D175-500x for Electrical Devices

Диод низкочастотный штыревой Д175-500х

$0.90-$3.60 USD
Repetitive pulsed reverse voltage: 1200
Average direct current: 500
АО "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС" 🇷🇺
Special Purpose Transistor Optocoupler 3OT127A

Оптопары транзисторные специального назначения 3ОТ127А

$0.30-$1.80 USD
Input voltage: 1.6
Output residual voltage: 1.5
АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺
Semiconductor Lamp for Signal Devices LPRZh01-2.5

Лампа полупроводниковая ЛПРЖ01-2,5

$3-$18 USD
Dimensions: 40x16x16 (diameter)
Average service life, at least: 10
АО "НИИПП" 🇷🇺
Rectifiers for Power Supply of Polycrystalline and Monocrystalline Silicon Production

Тиристорные выпрямители для питания установок получения поликристаллического, монокристаллического кремния

$90,000-$600,000 USD
Rated rectified output current: 1000...7500
Rated rectified voltage: 60...1000
АО "РОСЭЛКО" 🇷🇺
Three-Phase Thyristor Rectifier B-TPE-160(200)-230(320)-UHL5

Выпрямитель В-ТПЕ-160(200)-230(320)-УХЛ5

$4,200-$15,000 USD
Rated output current: 200
Rated output voltage: 320
АО "ЗАВОД "ИНВЕРТОР" 🇷🇺
Powerful Silicon Epitaxial-Planar n-p-n Switching Transistor KT879A

Транзистор КТ879А

$0.30-$1.80 USD
Boundary voltage: 150
Resorption time: 1.5
АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺
Powerful NPN Switching Transistors for Special Applications 2T856G

Мощные NPN переключательные транзисторы специального назначения 2Т856Г

$0.90-$3.60 USD
Boundary voltage: 450
Collector-emitter saturation voltage: 1.5
АО "НПП "ЗАВОД ИСКРА" 🇷🇺
Transistor Optocoupler 3OT144A

Оптопара транзисторная 3ОТ144А

$0.12-$0.60 USD
Insulation voltage: 500
Input current: 0.01
АО "ОПТРОН" 🇷🇺
Запрос через WhatsApp