Структуры эпитаксиальные на основе GaAs, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии, предназначенные для производства СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) для радиоэлектронной аппаратуры различного назначения
Напишите что вам нужно и получите предложения от проверенных поставщиков