Гетероструктуры на основе соединений AlGaN, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием аммиака в качестве источника азота, предназначенные для производства мощных полевых СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем (МИС) для радиоэлектронной аппаратуры различного назначения
Напишите что вам нужно и получите предложения от проверенных поставщиков