Товары — Диоды и транзисторы

P-N-P Silicon Transistor KT234V9

Кремниевый p-n-p транзистор КТ234В9

US$0.03-0.24
Boundary voltage: Not less than 45 V
Maximum permissible DC collector-to-base voltage: Not more than 50 V
АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" 🇷🇺
Compact N-Channel Field Transistor 2P526A9

Полевой транзистор 2П526А9

US$0.06-0.36
Maximum power dissipation: 0.625
Operating temperature: -60 to +125
АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" 🇷🇺
Compact NPN Bipolar Transistor KT665A9 for Surface Mount

КТ665А9 транзистор биполярный

US$0.03-0.24
Ik max: 1
Uke max: 100
АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" 🇷🇺
Field-effect P-Channel Transistor 2P527A9

Полевой транзистор 2П527А9

US$0.06-0.60
Maximum power dissipation: 0.625
Threshold voltage: -3.5
АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" 🇷🇺
Schottky Diode Assembly 2DSh160AC9

Диодная сборка 2ДШ160АС9

US$0.09-0.36
Operating temperature range: -60 to +125
Maximum permissible permanent power dissipation: 0.23
АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" 🇷🇺
Schottky Diode Assembly 2DSh160BS9

Диодная сборка 2ДШ160БС9

US$0.06-0.60
Maximum permissible direct direct current: 0.2
Constant forward voltage: 0.8
АО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" 🇷🇺